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发布时间：2025-05-26 08:15:39 | 作者: 开云app网页版品牌形象大使皮耶罗
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在半导体职业继续立异的浪潮中，矽力杰半导体技能（杭州）有限公司再次引发重视。依据金融界2025年3月19日报导，国家知识产权局的最新数据提醒，该公司于2024年11月请求了一项名为“SCR结构”的专利（公开号CN119630067A）。这项专利无疑是一项重大突破，其中心在于怎么有用提高SCR结构的保持电压。
专利摘要显现，这种新式SCR结构奇妙地将榜首P型重掺杂区规划为嵌入榜首N型重掺杂区，经过两者的直接触摸，使得全体功能得以增强。更为要害的是，榜首P型重掺杂区分为多个距离区域，形成了一种被榜首N型重掺杂区围住的“保护网”。这样的规划不只有用提高了SCR结构中PNP三极管基区的离子注入浓度，也优化了SCR电路的全体稳定性。
更令人兴奋的是，这项技能还显着降低了NMOS晶体管对SCR结构的辅佐触发电压。不只如此，经过调整NPN三极管的电流扩展倍数β，专利规划逐渐提高了SCR结构的保持电压。从多个视点来看，这项专利可能会引领更高效能的电力电子设备的诞生，对未来的电力传输和操控办理体系构成革新性影响。
回忆矽力杰的开展前史，自2008年建立以来，公司在计算机、通讯及电子设备制造业稳步推动，重视技能立异与可继续开展。在多项专利与出资的支持下，他们的商场体现无疑令人瞩目，未来也将成为业界重视的焦点。经过此次专利的请求，矽力杰不只在技能上迈出了坚实的一步，也预示着其在全球半导体商场的影响力将逐渐扩展。回来搜狐，检查更加多
